Soitec收购EpiGaN nv,氮化镓(GaN)材料加入优化衬底产品组合

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Soitec宣布收购EpiGaN nv以增强其优化基板产品组合氮化镓(GaN)材料的优势

此次收购将加速Soitec在快速增长的5G,电源和传感器市场的渗透率

北京,中国,2019年5月16日作为创新半导体材料设计和制造的全球领导者,法国Soitec半导体公司宣布与欧洲领先的氮化镓外延片材料供应商EpiGaN达成协议作为GaN)。最终协议以3000万欧元现金收购EpiGaN。同时,该协议还将根据盈利性支付计划支付额外奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF(射频),5G,电子元件和传感器应用。预计未来五年GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至100万片晶圆。

Soitec首席执行官Paul Boudre表示:“目前,GaN技术正在RF和电源市场引起关注.GaN外延晶圆材料和Soitec目前优化的基板产品线将形成战略匹配.EpiGaN的收购进一步扩大。它补充了Soitec的硅产品组合,为RF,5G和电源系统创建新的工艺解决方案,为用户增加价值。“

在移动领域,实现性能,低功耗和低成本的共同优化至关重要。与4G相比,低于6GHz频段和毫米波的5G的到来正在推动下一代基站的发展,这需要更高能效,更高性能,更小,更具成本效益的功率放大器(PA)。更小,更轻,更高效,更具成本效益是当今基站设计的趋势,Soitec将扩展其PA产品组合,并通过GaN产品引领这一趋势。

EpiGaN联合创始人兼首席执行官Marianne Germain博士说:“多年来,EpiGaN已被业界公认为GaN技术,并开发并优化了5G宽带网络应用的即用型技术。我们的技术创造了一个Soitec客户为RF设备,高效电源开关设备和传感器设备等新兴高增长市场快速开发产品解决方案的绝佳机会。“

“EpiGaN开发的GaN技术开启了许多未来机遇。我们相信,作为EpiGaN的优秀合作伙伴,Soitec将充分利用EpiGaN的市场潜力,”Epillon和基石投资公司LRM代表Katleen Vandersmissen表示。

此外,鉴于GaN在功率晶体管设计中的应用,收购EpiGaN还将为Soitec现有的Power-SOI产品创造新的增长空间。 Power-SOI和GaN均可满足智能,高能效和高可靠性集成电路器件的要求,适用于消费电子,数据中心,汽车和工业市场的集成高压和模拟功能。 EpiGaN将整合到Soitec的业务部门。

时间表

Soitec将于2019年6月13日在巴黎举行资本市场日。

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关于EpiGaN

EpiGaN成立于2010年,是比利时哈瑟尔特微电子工业大学研究中心IMEC的衍生产品。它是欧洲领先的GaN技术解决方案供应商。 EpiGaN的技术广泛应用于5G基础设施,物联网(IoT)和智能传感器系统的电源,是电源,电动汽车,无线充电和其他射频电源系统设备创新的关键推动因素。该公司在过去三年中曾两次入选享有盛誉的全球清洁技术100强企业名单。 2011年,LRM,摩羯座清洁技术基金和罗伯特博世风险投资有限公司投资该公司,A-Capital和SPFI-FPIM也进行了投资。

关于Soitec

法国Soitec Semiconductor是设计和制造创新半导体材料的全球领导者,凭借其独特的技术和半导体专业知识为电子和能源市场提供服务。 Soitec在全球拥有3,000多项专利,可在不断创新的基础上满足客户对高性能,低功耗和低成本的需求。 Soitec在欧洲,美国和亚洲设有制造工厂,研发中心和办事处。 Soitec和Smart Cut是Soitec Corporation的注册商标。